在當今高科技材料加工和表面改性領域，高性能離子鍍膜技術（HiPIMS）正以其獨特的優勢，推動著整個行業的快速發展。作為該領域的領航者，瑞典Ionautics始終致力于技術創新與突破，為全球客戶提供最優質的產品和服務。近日，全新升級的HiPSTER25設備。這款設備集成了尖端碳化硅（SiC）晶體管技術，不僅在性能上實現了質的飛躍，更在高效運行模式上進行了重新定義。HiPSTER25的問世，使得設備在運行時能夠更加穩定、高效。同時，HiPSTER25在性能上也得到了顯著提升，能夠滿足客戶對于高精度、高質量鍍膜的需求。此外，該設備還具備出色的節能效果，為客戶節省了大量的運行成本。

SiC晶體管性能與效率的雙重飛躍

HiPSTER25的核心競爭力在于其采用的SiC晶體管。SiC作為一種新型半導體材料，以其出色的耐高溫、高頻率特性和卓越的導電性能，成為替代傳統硅基材料的理想選擇。在HiPIMS系統中，SiC晶體管能夠承受更高的工作溫度和更快的開關速度，這直接轉化為更高的能量效率和更穩定的工藝輸出。通過減少能量損失和熱管理挑戰，HiPSTER25為用戶提供了工藝靈活性和穩定性，確保了鍍膜過程的精確控制和質量一致性。

雙極HiPIMS技術

作為新一代HiPIMS技術的代表，HiPSTER雙極HiPIMS裝置在專業設計團隊的精心打造下，展現了卓越的技術創新。雙極運行模式是該系統的亮點之一，它允許在無需基底偏壓的情況下實現離子加速，簡化了工藝步驟，還提升了鍍膜的質量和均勻性。通過精確調控離子能量和方向，HiPSTER25能夠在各種基材上實現更光滑、更致密的涂層，這對于提高產品的耐磨性、耐腐蝕性和光學性能至關重要。HiPSTER25的另一個顯著優勢在于其穩定的工藝控制能力。通過集成多個工藝參數調整選項，用戶可以根據具體需求精細調節鍍膜過程中的各項參數，如氣體流量、放電電壓和脈沖頻率等。這種高度的可定制性確保了無論是硬質涂層、光學鍍膜還是電氣涂層，都能獲得最佳的鍍膜效果。此外，系統支持從外部觸發多個電源，為復雜的多層鍍膜和復合結構鍍膜提供了可能，進一步拓寬了應用范圍。

超快開關技術與脈沖控制

新型開關技術的引入，使得HiPSTER25的HiPIMS脈沖頻率高達150kHz，這是傳統系統難以企及的速度。高頻脈沖不僅能夠顯著提高鍍膜效率，還能促進更均勻、更致密的薄膜沉積，尤其是在處理復雜三維結構時表現尤為突出。增強的HiPIMS脈沖控制功能，使得用戶能夠精確控制脈沖的形狀、寬度和能量分布，為開發新型材料和優化現有工藝的工具。

HiPSTER25廣泛的應用領域和優勢

為了進一步提升鍍膜的穩定性和沉積率，HiPSTER25集成了Ionautics的反應過程控制系統。該系統通過實時監測和調節鍍膜過程中的化學反應，確保鍍膜成分和結構的精確控制，減少缺陷和雜質，提高鍍膜的整體質量和一致性。無論是反應式HiPIMS還是其他類型的磁控管和工藝，HiPSTER25都經過了廣泛的測試和優化，確保了其在各種應用場景下的優異表現，還具有以下優勢：

輸出規格

輸出平均功率:<25KW

調節模式：電壓、電流、功率、脈沖電流、脈沖電荷

脈沖充電電弧控制反應時間：<2μs

輸?規格

輸?電壓交流：1phase+N,100-240VAC,50/60Hz

230V時的輸?電流：0.3A

直流充電輸?：最?1000V，完全浮動+/-1kVkV距地

遠程通信：RS232、RS485、EtherCat、Proibus

單極模式（負脈沖）

輸出峰值電壓：≤1000V

輸出峰值電流：≤1500A

脈沖持續時間：3.5μs?1000μs

脈沖頻率：50?10000Hz

可選雙極模式（正脈沖）

輸出峰值電壓：≤250V

脈沖持續時間：≤1500μs

脈沖延遲：3.5μs至1000μs

可選脈沖模式直流

脈沖頻率：?達150kHz

1、雙極運行：提供離子加速功能，無需額外施加基底偏壓，簡化了工藝步驟并提升了鍍膜質量。

2、多參數工藝控制：通過調節多個工藝參數，實現穩定而強大的工藝控制能力，確保鍍膜過程的精確性和一致性。

3、外部觸發功能：支持從外部觸發（包括多個電源），為復雜的多層鍍膜和復合結構鍍膜提供了靈活性和便利性。

4、高頻脈沖技術：采用新型開關技術，使HiPIMS脈沖頻率高達150kHz，顯著提高了鍍膜效率和均勻性。

5、兼容多種磁控管和工藝：經過多種磁控管和工藝（包括反應式HiPIMS）的測試，確保了廣泛的適用性和兼容性。

6、Ionautics反應過程控制：增加Ionautics的反應過程控制系統，通過實時監測和調節鍍膜過程中的化學反應，提高了鍍膜的穩定性和沉積率。

此外，HiPSTER25還廣泛應用于擴散屏障和電氣涂層的制備中。通過增加涂層密度，提高了擴散屏障的阻隔性能，有效防止了不同材料間的相互滲透。在電氣涂層方面，HiPSTER25通過減少涂層厚度和降低熱負荷，顯著提高了導電材料的導電性，同時增強了絕緣體的隔離效果，為電子封裝和電力傳輸領域提供了高效的解決方案。在三維涂層方面，HiPSTER25展現了其鍍膜均勻性，能夠在形狀復雜的基材上實現薄膜的均勻覆蓋，這對于航空航天、醫療器械和汽車制造等行業具有重要意義HiPSTER25作為高性能離子鍍膜技術（HiPIMS）的杰出代表，憑借其集成的尖端碳化硅（SiC）晶體管、雙極HiPIMS技術、超快開關技術與脈沖控制，以及Ionautics反應過程控制系統，已經在多個領域展現出了卓越的性能和廣泛的應用潛力。

HiPSTER25的成功源于Ionautics深厚的行業積累和技術創新，在其持續創新和不懈努力下，HiPSTER25將繼續引領HiPIMS技術發展，為高科技材料加工和表面改性領域注入新活力，并成為連接全球客戶與Ionautics的橋梁，共同推動離子鍍膜技術的不斷進步和廣泛應用。